Transistor que acelera el flujo eléctrico

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IBM ha anunciado un nuevo transmisor de silicio, al que la empresa califica del más rápido del mundo. Este transmisor que utiliza la tecnología SiGe alcanzará en menos de dos años velocidades cercanas a los 150 Ghz, lo que le otorgaría un rendimiento cuatro veces superior a los actuales del mercado y un 65% más rápido que los prototipos anunciados. La firma también prevé que consuma menos energía que los actuales. En 1980 la división de Investigación de IBM introdujo un avance importante al añadirle germanio al silicio (SiGe) para acelerar el flujo eléctrico. El nuevo transistor reduce las distancias eléctricas, para aumentar la velocidad, al permitir que los electrones se muevan verticalmente y no horizontalmente como es normal. Los chips con tecnología SiGe se han introducido sobre todo en telefonía móvil.

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